NAND FLASH芯片坏字节(BadBytes)自动剪切功能
U盘 FLASH芯片数据恢复中使用自动坏字节剪切功能(插入、添加、坏列)。模式有助于显著减少手动研究和切割的时间。请点击下面的链接,了解更多关于如何在实践中使用这种方法的信息。
关于坏字节的更多信息,请参阅我们之前的文章:
NAND FLASH在转储中如何检测和消除添加(插入,坏列)
U盘AU6989和AU6998主控XORed inserts
Example #1:
带有TLC芯片的SM3257EN控制器。它包含大量1-字节的插入(白色列),在两个平面之间创建移位:
位图黑线的右侧是大小为27字节的SA区域(Marker+ECC):
要使用新的自动切割模式,请右键单击位图,然后选择自动查找:
然后选择两个平面(Plane 0和Plane 1):
最后,选择坏字节的类型(本例中为白色列):
如果一切正常,将在平面获得字符串中的坏字节位置和完美位图:
本页末尾:
Example #2:
带有MLC芯片和“invisible不可见”字节的AU6989控制器(每个字节都是下一个字节副本的列):
使用自动查找功能,尝试检测所有坏字节:
Example #3:
带有TLC芯片和“classic 经典”2-字节坏列的SM3257EN控制器。黑色列的左边是ECC范围的边界(它在两个平面上重复,这不是一个坏字节!)。右边的白色列是坏字节。在此“插入”之后,所有数据都会发生移位:
在页面末尾SA区域的平面之间切换
删掉这个坏列(BadColumn):
BadByte切割后,SA线变直:
结论(Conclusion)
新功能可以节省手动剪切坏字节的时间。无论如何,我们建议总是检查最终结果,因为这个切割工具可能会切割掉更多的字节。当新模式的效果达不到预期时,会出现一些例外情况:
- 具有大量位错误的情况。自动检测功能可能会执行错误检测,因为ECC错误会影响最终结果;
- 对于Phison控制器,数据和ECC范围用FF字节划分。有时,SA边框的背面线可能会被检测为BAD列的位置,如以下示例所示:
右边的宽黑线是Marker+ECC数据后区域的开始。中间的细黑线是Marker和ECC区域完成的边界。该范围的总大小为1101字节。
这是同一页,但没有坏字节剪切。正如所看到的,服务区的薄边框被移动,这些列可能会被检测为坏字节。该软件将消除它们,包括SA区域的必要部分。
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